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NVJS4405NT1G 技術仕様

Trans MOSFET N-CH 25V 1A Automotive 6-Pin SC-88 T/R

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 890mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350m Ω @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.35Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 630mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A Ta
Rise Time 4.7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.7V 4.5V
Fall Time (Typ) 41 ns
Continuous Drain Current (ID) 1A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1A
DS Breakdown Voltage-Min 25V
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NVJS4151PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 41866
NVJS4151PT1G ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NVJS4405NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3000

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