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NVMD6N03R2G 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.29W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number NTMD6N03
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.032Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW ON RESISTANCE
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
Avalanche Energy Rating (Eas) 325 mJ
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status RoHS Compliant
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NVMD6N03R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2519
NVMD6N03R2G Rochester Electronics, LLC MOSFETトランジスタアレイ
NVMD6N04 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 2532
NVMD6N04R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2700
NVMD6N04R2G ON Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
NVMD6P02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2721
NVMD6P02R2G ON Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ

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