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SGF80N60UFTU 技術仕様
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 6.962g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Max Power Dissipation | 110W |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Test Condition | 300V, 40A, 5 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 310 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
Switching Energy | 570μJ (on), 590μJ (off) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING |
Voltage - Rated DC | 600V |
Current Rating | 40A |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | ISOLATED |
Power - Max | 110W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 80A |
Turn On Time | 85 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
Gate Charge | 175nC |
Td (on/off) @ 25°C | 23ns/90ns |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
SGF80N60UFTU 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SGF80N60UFTU
-
データシート
その他には以下が含まれます: "SGF80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SGF80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SGF80N60UF G80N60UF | FSC | 特殊なホットIC | 14377 |
SGF80N60UFTU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2622 |
SGF80N60UFTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2558 |
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