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UMA4NT1G 技術仕様

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 5
Qualification Status Not Qualified
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15W
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Transistor Element Material SILICON
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
UMA4N ROHM 特殊なホットIC 1751
UMA4N TR LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 24000
UMA4NT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 618
UMA4NT1 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
UMA4NT1 Rochester Electronics, LLC BJTトランジスタアレイ
UMA4NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2610
UMA4NTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 6213
UMA4NTR ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ

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UMA4NT1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, UMA4NT1G 参考価格. UMA4NT1G パラメーター, UMA4NT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 UMA4NT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 UMA4NT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 UMA4NT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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