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UHB100SC12E1BC3N 技術仕様

1200 V, 100 A SiC Half Bridge Module

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / SiCパワーモジュール
Manufacturer Qorvo
Factory Lead Time 3 Weeks
On Resistance RDS(on) 9.4mohm (typ)
Excellent reverse recovery Qrr = 1000 nC
Low gate charge QG = 170 nC
Low intrinsic capacitance
Topology Half Bridge
RDS(on) Typ @ 25C(mohm) 9.4
Package Type E1B
Typical Applications EV Charging Stations PV Inverters Energy Storage Switch mode power supplies
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Operating temperature 150 C (max)
Low body diode VFSD 1.4 V
Threshold voltage VG(th) 5 V (typ) allowing 0 to 15 V drive
ESD protected HBM class 2 and CDM class C3
VDS Max(V) 1200
ID Max(A) 100
ECCN EAR99
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
UHB10FT-E3/4W Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2696
UHB10FT-E3/4W Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 362
UHB10FT-E3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器
UHB10FT-E3/8W Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2591
UHB10FT-E3/8W Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2658
UHB10FT-E3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器

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UHB100SC12E1BC3N ブランドメーカー: Qorvo, Bonchip ストック, UHB100SC12E1BC3N 参考価格. UHB100SC12E1BC3N パラメーター, UHB100SC12E1BC3N データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 UHB100SC12E1BC3N プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 UHB100SC12E1BC3N ピン図と回路図と機能の使用方法、 UHB100SC12E1BC3N エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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