BR24G08-3A 技術仕様

IC EEPROM 8K I2C 1MHZ 8-DIP-T

製品の属性 属性値
Category 集積回路 (IC) / メモリー
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case 8-DIP (0.300, 7.62mm)
Operating Temperature -40°C~85°C TA
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature SEATED HT-CALCULATED AND IT ALSO OPERATES AT 1.6V WITH 400KHZ
Voltage - Supply 1.6V~5.5V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Supply Voltage 2.5V
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Supply Voltage-Max (Vsup) 5.5V
Memory Size 8Kb 1K x 8
Operating Mode SYNCHRONOUS
Memory Format EEPROM
Organization 1KX8
Write Cycle Time - Word, Page 5ms
Parallel/Serial SERIAL
Write Cycle Time-Max (tWC) 5ms
Length 9.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Technology CMOS
Terminal Position DUAL
Number of Functions 1
Terminal Pitch 2.54mm
JESD-30 Code R-PDIP-T8
Supply Voltage-Min (Vsup) 1.7V
Memory Type Non-Volatile
Clock Frequency 1MHz
Memory Interface I2C
Memory Width 8
Memory Density 8192 bit
Serial Bus Type I2C
Height Seated (Max) 4.21mm
Width 7.62mm
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
BR24G01-3 LAPIS Semiconductor メモリー 2693
BR24G01-3 ROHM Semiconductor メモリー
BR24G01-3A LAPIS Semiconductor メモリー 2735
BR24G01F-3AGTE2 LAPIS Semiconductor メモリー 2553
BR24G01F-3GTE2 LAPIS Semiconductor メモリー 2500
BR24G01FJ-3AGTE2 LAPIS Semiconductor メモリー 2610
BR24G01FJ-3GTE2 LAPIS Semiconductor メモリー 2618
BR24G01FV-3GTE2 LAPIS Semiconductor メモリー 2723
BR24G01FVJ-3AGTE2 LAPIS Semiconductor メモリー 2714
BR24G01FVJ-3GTE2 LAPIS Semiconductor メモリー 2598

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