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BSM180D12P3C007 技術仕様

SIC POWER MODULE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Package / Case Module
Operating Temperature 175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 10
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A Tc
Drain Current-Max (Abs) (ID) 180A
DS Breakdown Voltage-Min 1200V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount NO
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 880W
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-XUFM-X10
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V 1.2kV
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 360A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BSM180D12P3C007 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BSM180D12P2C101 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2524
BSM180D12P2C101 ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
BSM180D12P3C007 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2611
BSM181A4R SIEMENS 特殊なホットIC 2880
BSM181AR SIEMENS IGBTモジュール 2988
BSM181F EUPEC 特殊なホットIC 2999
BSM181FR SIEMENS IGBTモジュール 2729
BSM181R SIEMENS 特殊なホットIC 2731

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BSM180D12P3C007 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, BSM180D12P3C007 参考価格. BSM180D12P3C007 パラメーター, BSM180D12P3C007 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSM180D12P3C007 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSM180D12P3C007 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSM180D12P3C007 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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