DTA123EETL 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number DTA123
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 20
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Digi-Reel®
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EE ROHM 特殊なホットIC 3432
DTA123EE TL ROHM 特殊なホットIC 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 598
DTA123EET1 ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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