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DTA123YEBTL
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DTA123YEBTL 技術仕様
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | SC-85 |
Part Status | Active |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Digi-Reel® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
DTA123YEBTL 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTA123YEBTL
-
データシート
その他には以下が含まれます: "DTA12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTA12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTA123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2553 |
DTA123ECAT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA123EE | ROHM | 特殊なホットIC | 3432 |
DTA123EE TL | ROHM | 特殊なホットIC | 6010 |
DTA123EEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA123EEFRATL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2598 |
DTA123EEFRATL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTA123EEFTL | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 1479 |
DTA123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 598 |
DTA123EET1 | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ |
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輸送方法 | ||
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