DTB113ESTP 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case SC-72 Formed Leads
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Current Rating -500mA
Base Part Number DTB113
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 33
Resistor - Emitter Base (R2) 1 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
DTB113 ROHM 特殊なホットIC 1296
DTB113ECHZGT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTB113ECT116 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2527
DTB113ECT116 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTB113EK ROHM 特殊なホットIC 187858
DTB113EK T146 ROHM 特殊なホットIC 1791
DTB113EK T146 MCU LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 1868
DTB113EKT146 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 11466
DTB113EKT146 ROHM Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
DTB113EL Original 特殊なホットIC 2929

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