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DTC123JMT2L
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DTC123JMT2L 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2004 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | FLAT |
Base Part Number | DTC123 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 100mA |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 150mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTC123JMT2L 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください DTC123JMT2L
-
データシート
その他には以下が含まれます: "DTC12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'DTC12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
DTC123-JS | ROHM | 特殊なホットIC | 605 |
DTC123ECA T116 | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 600282 |
DTC123ECAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2653 |
DTC123ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2693 |
DTC123ECAT116 | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC123EE | ROHM | 特殊なホットIC | 3294 |
DTC123EE TL | ROHM | 特殊なホットIC | 29427 |
DTC123EEBTL | ROHM Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
DTC123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 30000 |
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