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EMF24T2R 技術仕様

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V / 180 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 150mA
Frequency - Transition 250MHz 180MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Radiation Hardening No
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 180
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
EMF2449A1-19UFL Laird Technologies IAS RFアンテナ
EMF2449A1-33UFL Laird Technologies IAS RFアンテナ
EMF24N02Q E 特殊なホットIC 652
EMF24N02Q MOS VBSEMI 特殊なホットIC 16286
EMF24N02Q-2 EMC/ 特殊なホットIC 2437
EMF24T2R LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2514

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EMF24T2R ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, EMF24T2R 参考価格. EMF24T2R パラメーター, EMF24T2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 EMF24T2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 EMF24T2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 EMF24T2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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