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EMH1T2R 技術仕様

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 56
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 30mA
Base Part Number *MH1
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
REACH SVHC No SVHC
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EMH1T2R LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 24466

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EMH1T2R ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, EMH1T2R 参考価格. EMH1T2R パラメーター, EMH1T2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 EMH1T2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 EMH1T2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 EMH1T2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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