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EMH6T2R 技術仕様

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3/e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN/TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 30mA
Base Part Number *MH6
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.2
Subcategory BIP General Purpose Small Signals
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 68
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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EMH6T2R LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 9960

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EMH6T2R ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, EMH6T2R 参考価格. EMH6T2R パラメーター, EMH6T2R データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 EMH6T2R プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 EMH6T2R ピン図と回路図と機能の使用方法、 EMH6T2R エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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