HP8MA2TB1 技術仕様

HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6m Ω @ 18A, 10V, 17.9m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF 1250pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC, 25nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48A
Avalanche Energy Rating (Eas) 11 mJ
FET Feature Standard
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 3W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Ta 15A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.0165Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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HP8MA2TB1 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 2500
HP8MA2TB1 MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 2821

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