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IMB2AT110 技術仕様

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SMD/SMT
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -30mA
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 68
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signals
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 68
Continuous Collector Current -100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IMB2AT110 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IMB2A ROHM 特殊なホットIC 2790
IMB2A T110 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 3171
IMB2AT110 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 30345

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IMB2AT110 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, IMB2AT110 参考価格. IMB2AT110 パラメーター, IMB2AT110 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IMB2AT110 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IMB2AT110 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IMB2AT110 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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