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IMD1AT108 技術仕様

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Transistor Element Material SILICON
Published 1998
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 100
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Additional Feature DIGITAL
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IMD1AT108 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IMD1A ROHM 特殊なホットIC 8341
IMD1A T108 ROHM 特殊なホットIC 6349
IMD1AT108 LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2959

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IMD1AT108 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, IMD1AT108 参考価格. IMD1AT108 パラメーター, IMD1AT108 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IMD1AT108 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IMD1AT108 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IMD1AT108 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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