QSX5TR 技術仕様

QSX5TR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一BJTトランジスタ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.25W
Terminal Form GULL WING
Current Rating 2A
Base Part Number QSX
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 360MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Collector Emitter Saturation Voltage 90mV
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
hFE Min 270
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 360MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
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QSX5TR LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2549

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