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R6025ANZC8 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 12.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 25A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100A
Avalanche Energy Rating (Eas) 39 mJ
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.15Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
R6025ANZ ROHM 特殊なホットIC 1037
R6025ANZC8 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2750
R6025FNZ1C9 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2691
R6025FNZC8 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2506

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R6025ANZC8 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, R6025ANZC8 参考価格. R6025ANZC8 パラメーター, R6025ANZC8 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 R6025ANZC8 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 R6025ANZC8 ピン図と回路図と機能の使用方法、 R6025ANZC8 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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