RFVS8TG6SGC9 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単相ダイオード整流器
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Through Hole
Diode Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 2
JESD-30 Code R-PSFM-T2
Number of Elements 1
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10μA @ 600V
Operating Temperature - Junction 150°C Max
Application SUPER HYPER FAST RECOVERY
Max Reverse Voltage (DC) 600V
Number of Phases 1
JEDEC-95 Code TO-220AC
Reverse Current-Max 10μA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-2
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3V @ 8A
Output Current-Max 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Average Rectified Current 8A
Reverse Recovery Time 40 ns
Non-rep Pk Forward Current-Max 60A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
RFVS8TG6SGC9 LAPIS Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2748
RFVS8TJ6SGC9 LAPIS Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2543

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