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RGT00TS65DGC11 技術仕様

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 277W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 54ns
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 225 ns
Gate Charge 94nC
Td (on/off) @ 25°C 42ns/137ns
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RGT00TS65DGC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGT00TS65DGC11 参考価格. RGT00TS65DGC11 パラメーター, RGT00TS65DGC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGT00TS65DGC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGT00TS65DGC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGT00TS65DGC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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