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RGT40NS65DGC9 技術仕様
IGBT
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Reverse Recovery Time | 58ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Test Condition | 400V, 20A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 204 ns |
Gate Charge | 40nC |
Td (on/off) @ 25°C | 22ns/75ns |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 161W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Turn On Time | 51 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
RGT40NS65DGC9 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RGT40NS65DGC9
-
データシート
その他には以下が含まれます: "RGT40" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RGT40'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RGT40NL65DGTL | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGT40NS65DGTL | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2638 |
RGT40NS65DGTL | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGT40TM65DGC9 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT | |
RGT40TS65D | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 4 |
RGT40TS65DG | ROHM | 特殊なホットIC | 677 |
RGT40TS65DGC11 | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2727 |
RGT40TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | 単一IGBT |
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