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RGT50TS65DGC11 技術仕様

IGBT 650V 48A 174W TO-247N

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 58 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65V
Test Condition 400V, 25A, 10 Ω, 15V
Continuous Collector Current 25A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
REACH SVHC Unknown
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 174W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 174W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 48A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Turn On Time 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Turn Off Time-Nom (toff) 210 ns
Gate Charge 49nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/88ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RGT50NL65DGTL ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGT50NS65DGC9 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGT50NS65DGTL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 2000
RGT50NS65DGTL ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGT50TM65DGC9 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGT50TS65DGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2566

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RGT50TS65DGC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGT50TS65DGC11 参考価格. RGT50TS65DGC11 パラメーター, RGT50TS65DGC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGT50TS65DGC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGT50TS65DGC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGT50TS65DGC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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