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RGW80TS65DGC11 技術仕様

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 214W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 760μJ (on), 720μJ (off)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 92ns
Current - Collector (Ic) (Max) 78A
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 228 ns
Gate Charge 110nC
Td (on/off) @ 25°C 44ns/143ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RGW80TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2785
RGW80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGW80TK65GVC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2632
RGW80TK65GVC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGW80TS65DGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2779
RGW80TS65GC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2764
RGW80TS65GC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT

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RGW80TS65DGC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGW80TS65DGC11 参考価格. RGW80TS65DGC11 パラメーター, RGW80TS65DGC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGW80TS65DGC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGW80TS65DGC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGW80TS65DGC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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