RZQ050P01TR 技術仕様

MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.25W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2850pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Vgs (Max) ±10V
Turn-Off Delay Time 420 ns
Threshold Voltage -300mV
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20A
Height 950μm
Width 1.8mm
REACH SVHC No SVHC
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 600mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Ta
Rise Time 100ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 225 ns
Continuous Drain Current (ID) 5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
Nominal Vgs -300 mV
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
RZQ050P01 ROHM 特殊なホットIC 1522
RZQ050P01 TR ROHM 特殊なホットIC 12627
RZQ050P01MGMTR LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 10342
RZQ050P01T146 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 33000
RZQ050P01TR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 253
RZQ050P01TR MOS VBSEMI 特殊なホットIC 18812

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