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SH8J62TB1 技術仕様

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Number of Channels 2
Turn On Delay Time 7 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Drain to Source Resistance 40mOhm
Height 1.75mm
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Base Part Number *J62
Power Dissipation 2W
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V
Turn-Off Delay Time 70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 800pF
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 56 mΩ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SH8J62TB1 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SH8J62 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 321
SH8J62TB ROHM 特殊なホットIC 13061
SH8J62TB1 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 35742
SH8J65TB ROHM 特殊なホットIC 36227
SH8J65TB MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 594
SH8J65TB1 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 10000
SH8J65TB1 ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
SH8J65TB1 MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 10359
SH8J66TB V 特殊なホットIC 10475
SH8J66TB MOS VBSEMI 特殊なホットIC 16344

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SH8J62TB1 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, SH8J62TB1 参考価格. SH8J62TB1 パラメーター, SH8J62TB1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SH8J62TB1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SH8J62TB1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SH8J62TB1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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