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SH8M2TB1 技術仕様

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Standard
Rds On Max 83 mΩ
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Max Operating Temperature 150°C
Base Part Number *M2
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Input Capacitance 140pF
Drain to Source Resistance 107mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SH8M24 ROHM 特殊なホットIC 685
SH8M24GZETB ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
SH8M24TB R 特殊なホットIC 5491
SH8M24TB1 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 5201
SH8M24TB1 ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
SH8M24TB1 IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 27733
SH8M2TB ROHM 特殊なホットIC 461
SH8M2TB MOS VBSEMI 特殊なホットIC 18884
SH8M2TB1 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 7498
SH8M2TB1 MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 5248

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SH8M2TB1 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, SH8M2TB1 参考価格. SH8M2TB1 パラメーター, SH8M2TB1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SH8M2TB1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SH8M2TB1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SH8M2TB1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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