SP8K4TB 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Drain-source On Resistance-Max 0.024Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Terminal Finish TIN COPPER
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 9A
Base Part Number *K4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Rise Time 15ns
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 36A
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
SP8K4 ROHM 特殊なホットIC 32115
SP8K4 TB ROHM 特殊なホットIC 2556
SP8K4-TB V 特殊なホットIC 17934
SP8K4-TB MOS VBSEMI 特殊なホットIC 17821
SP8K4FU6TB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2232
SP8K4FU6TB ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
SP8K4FU6TB MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 2746
SP8K4FU7TB ROHM 特殊なホットIC 30364
SP8K4GTB1 ROHM 特殊なホットIC 1566
SP8K4TB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 12551

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