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SP8M70TB1 技術仕様

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Last Time Buy
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 650mW
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Continuous Drain Current (ID) 2.5A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63 Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
FET Feature Standard
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SP8M7 ROHM 特殊なホットIC 3527
SP8M7-TB R 特殊なホットIC 10556
SP8M7-TB MOS VBSEMI 特殊なホットIC 18055
SP8M70TB1 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 60048
SP8M70TB1 MOS LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 10287
SP8M7FU6TB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2691
SP8M7FU6TB ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ
SP8M7TB LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2989
SP8M7TB ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ

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SP8M70TB1 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, SP8M70TB1 参考価格. SP8M70TB1 パラメーター, SP8M70TB1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SP8M70TB1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SP8M70TB1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SP8M70TB1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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