UMA1NTR 技術仕様

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number MA1
Number of Elements 2
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 56
Continuous Collector Current -100mA
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
UMA1N TR ROHM 特殊なホットIC 3000
UMA1NTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 33443
UMA1NTR(A1) LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 77474

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