UMD22NTR 技術仕様

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current -100mA
Height 900μm
Width 1.35mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *MD22
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Length 2.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
UMD22 ROHM 特殊なホットIC 750
UMD22 N TR ROHM 特殊なホットIC 6284
UMD22 NTR ROHM 特殊なホットIC 75500
UMD22N Original 特殊なホットIC 159470
UMD22NFHATR LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 7199
UMD22NFHATR ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ
UMD22NTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 486264
UMD22NTR 12 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 1153

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