UMD9NTR 技術仕様

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 70mA
Base Part Number *MD9
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Length 2.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 150mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 68
Continuous Collector Current 70mA
Height 900μm
Width 1.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
UMD9N ROHM 特殊なホットIC 3917
UMD9N TR ROHM 特殊なホットIC 2631
UMD9N TR IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 5109
UMD9NFHATR ROHM Semiconductor BJTトランジスタアレイ
UMD9NTR LAPIS Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 96652

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