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UMH8NTR
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UMH8NTR 技術仕様
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | SC |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN COPPER |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 100mA |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN |
Transistor Application | SWITCHING |
Max Collector Current | 100mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 100 |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Length | 2.1mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | DIGITAL |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 300mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
Height | 900μm |
Width | 1.35mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
UMH8NTR 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください UMH8NTR
-
データシート
その他には以下が含まれます: "UMH8N" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'UMH8N'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
UMH8N TR | ROHM | 特殊なホットIC | 2800 |
UMH8NTR | LAPIS Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 15000 |
UMH8NTR IC | LAPIS Semiconductor | 特殊なホットIC | 15412 |
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輸送方法 | ||
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