UT6MA2TCR 技術仕様

UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerUDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-PDSO-N6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 4A, 10V, 70m Ω @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF 305pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC, 6.7nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 0.08Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 6.4 mJ
FET Feature Standard
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UT6MA3 LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 3231
UT6MA3TCR LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3389
UT6MA3TCR ROHM Semiconductor MOSFETトランジスタアレイ

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