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H7N1002LSTL-E
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H7N1002LSTL-E 技術仕様
MOSFET N-CH 100V LDPAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Supplier Device Package | 4-LDPAK |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | SC-83 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 37.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9700pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
H7N1002LSTL-E 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください H7N1002LSTL-E
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データシート
H7N1002LSTL-E.pdf
その他には以下が含まれます: "H7N10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'H7N10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
H7N1001P | HITACHI | 特殊なホットIC | 2513 |
H7N1002 | MITSUBI | 特殊なホットIC | 749 |
H7N1002AB | RENESAS | 特殊なホットIC | 82363 |
H7N1002LD | NEC | 特殊なホットIC | 56986 |
H7N1002LM | Renesas Electronics America | 特殊なホットIC | 328 |
H7N1002LS | Renesas Electronics America | 特殊なホットIC | 32363 |
H7N1002LS-E | Renesas Electronics America | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2656 |
H7N1002LSTR-E | RENESAS | 特殊なホットIC | 2770 |
H7N1002P | HITACHI | 特殊なホットIC | 63 |
H7N1004 | HITACHI | 特殊なホットIC | 875 |
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H7N1002LSTL-E ブランドメーカー: Renesas Electronics America, Bonchip ストック, H7N1002LSTL-E 参考価格. H7N1002LSTL-E パラメーター, H7N1002LSTL-E データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 H7N1002LSTL-E プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 H7N1002LSTL-E ピン図と回路図と機能の使用方法、 H7N1002LSTL-E エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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