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NP83P04PDG-E1-AY 技術仕様

MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-263
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 150W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 41.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9820pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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NP83P04PDG-E1-AY ブランドメーカー: Renesas Electronics America, Bonchip ストック, NP83P04PDG-E1-AY 参考価格. NP83P04PDG-E1-AY パラメーター, NP83P04PDG-E1-AY データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NP83P04PDG-E1-AY プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NP83P04PDG-E1-AY ピン図と回路図と機能の使用方法、 NP83P04PDG-E1-AY エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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