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RJK60S7DPK-M0#T0 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-3PSG
Power Dissipation (Max) 227.2W (Tc)
Package / Case TO-3PSG
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RJK6002DPD R 特殊なホットIC 10502
RJK6002DPD MOS Renesas Electronics America 特殊なホットIC 30437
RJK6002DPD-00#J2 Renesas Electronics America トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2711
RJK6002DPD-00-J2 Renesas 特殊なホットIC 3645
RJK6002DPH-E0 Renesas Electronics America 特殊なホットIC 22986
RJK6002DPH-E0#T2 Renesas Electronics America トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2794
RJK6006DPD RENESAS/ 特殊なホットIC 2693
RJK6006DPD-00#J2 Renesas Electronics America トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2680
RJK6006DPP-E0 Renesas Electronics America 特殊なホットIC 22895
RJK6006DPP-E0#T2 Renesas Electronics America トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2704

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RJK60S7DPK-M0#T0 ブランドメーカー: Renesas Electronics America, Bonchip ストック, RJK60S7DPK-M0#T0 参考価格. RJK60S7DPK-M0#T0 パラメーター, RJK60S7DPK-M0#T0 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RJK60S7DPK-M0#T0 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RJK60S7DPK-M0#T0 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RJK60S7DPK-M0#T0 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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