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PD20010S-E 技術仕様

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - RF
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 13.6V
Transistor Type LDMOS
Power - Output 10W
Package / Case PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Gain 11dB
Current Rating 5A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 40V
Supplier Device Package PowerSO-10RF (Straight Lead)
Packaging Tube
Noise Figure -
Frequency 2GHz
Current - Test 150mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PD20010-E STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2600
PD20010STR-E STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2716
PD20010TR-E STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2639
PD20012 NIEC 特殊なホットIC 2796
PD20015-E STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2552
PD20015C STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2597
PD20015S-E STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2508
PD20016 NO 特殊なホットIC 2929
PD200F120 SANREX IGBTモジュール 2958
PD200F160 IGBT Module IGBTモジュール 2703

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PD20010S-E ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, PD20010S-E 参考価格. PD20010S-E パラメーター, PD20010S-E データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PD20010S-E プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PD20010S-E ピン図と回路図と機能の使用方法、 PD20010S-E エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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