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SCT30N120 技術仕様

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package HiP247™
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SCT300-300 Panduit 端子 - ワイヤースプライスコネクタ 2510
SCT300-300 Panduit Corp ワイヤースプライスコネクタ
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
SCT3022AL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 4322
SCT3022ALGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2739
SCT3030AL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 26
SCT3030ALGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2637
SCT3030ALGC11 IC LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 585
SCT3030KL LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 4222
SCT3030KLGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2685

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SCT30N120 ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, SCT30N120 参考価格. SCT30N120 パラメーター, SCT30N120 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SCT30N120 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SCT30N120 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SCT30N120 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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