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STB13NM60N 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
STB13005-1 STMicroelectronics トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 9172
STB13005A ST 特殊なホットIC 45
STB13007DT4 STMicroelectronics トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 5295
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STB13NM60N ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, STB13NM60N 参考価格. STB13NM60N パラメーター, STB13NM60N データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 STB13NM60N プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 STB13NM60N ピン図と回路図と機能の使用方法、 STB13NM60N エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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