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STB26NM60N
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STB26NM60N 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ II |
Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
STB26NM60N 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
STB26N60M2 | STMicroelectronics | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3739 |
STB26NM60ND | STMicroelectronics | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1246 |
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輸送方法 | ||
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