STD10NM60N 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
STD10 Bussmann (Eaton) 電気、特殊ヒューズ 2704
STD1001VH02L STM 特殊なホットIC 2800
STD100GK08 Sirectifier IGBTモジュール 2613
STD100GK08B Sirectifier IGBTモジュール 2503
STD100GK12 Sirectifier IGBTモジュール 2552
STD100GK12B Sirectifier IGBTモジュール 2583
STD100GK14 Sirectifier IGBTモジュール 2673
STD100GK14B Sirectifier IGBTモジュール 2774
STD100GK16 Sirectifi IGBTモジュール 2786
STD100GK16B Sirectifier IGBTモジュール 2750

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