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STD11NM60N-1 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
STD1109T-470M-B-C CHILISIN 特殊なホットIC 653
STD110N02RT4G ON 特殊なホットIC 2809
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STD11NM60N-1 ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, STD11NM60N-1 参考価格. STD11NM60N-1 パラメーター, STD11NM60N-1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 STD11NM60N-1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 STD11NM60N-1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 STD11NM60N-1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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