STD12NF06LT4 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ II
Power Dissipation (Max) 42.8W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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STD120N4F6 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4826
STD120N4F6 120N4F6 ST 特殊なホットIC 1402
STD120N4F6 MOS ST 特殊なホットIC 302
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STD120N4LF6 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 10513
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