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STD16N60M2
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STD16N60M2 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ M2 |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
STD16N60M2 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください STD16N60M2
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データシート
STD16N60M2.pdf
その他には以下が含まれます: "STD16" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'STD16'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
STD16 | Bussmann (Eaton) | 電気、特殊ヒューズ | 2705 |
STD160 | ST | 特殊なホットIC | 709 |
STD160-1 | ST | 特殊なホットIC | 10237 |
STD165GK08 | Sirectifier | IGBTモジュール | 2617 |
STD165GK08B | Sirectifier | IGBTモジュール | 2545 |
STD165GK12 | Sirectifi | IGBTモジュール | 2713 |
STD165GK12B | Sirectifier | IGBTモジュール | 2548 |
STD165GK14 | Sirectifier | IGBTモジュール | 2797 |
STD165GK14B | Sirectifier | IGBTモジュール | 2789 |
STD165GK16 | Sirectifier | IGBTモジュール | 2744 |
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STD16N60M2 ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, STD16N60M2 参考価格. STD16N60M2 パラメーター, STD16N60M2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 STD16N60M2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 STD16N60M2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 STD16N60M2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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