STD9N60M2 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
STD9N10 ST 特殊なホットIC 34325
STD9N10-1 VB 特殊なホットIC 10500
STD9N10L ST 特殊なホットIC 20000
STD9N10LT4 ST 特殊なホットIC 5469
STD9N10T4 ST 特殊なホットIC 2719
STD9N40M2 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2388
STD9N65M2 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 591
STD9N80K5 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5480
STD9NM40N STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1428
STD9NM50N STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2500

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