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STI18NM60N 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 285 mOhm @ 6.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
STI18N60M2 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2569
STI18N65M2 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 546
STI18N65M5 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2721

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STI18NM60N ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, STI18NM60N 参考価格. STI18NM60N パラメーター, STI18NM60N データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 STI18NM60N プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 STI18NM60N ピン図と回路図と機能の使用方法、 STI18NM60N エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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