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STP27N60M2-EP 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 163 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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STP270N04 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 31998
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STP27N60M2-EP ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, STP27N60M2-EP 参考価格. STP27N60M2-EP パラメーター, STP27N60M2-EP データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 STP27N60M2-EP プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 STP27N60M2-EP ピン図と回路図と機能の使用方法、 STP27N60M2-EP エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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