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STU11N65M2 技術仕様

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
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STU11NC60 ST/ 特殊なホットIC 932
STU11NM60ND STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2614

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STU11N65M2 ブランドメーカー: STMicroelectronics, Bonchip ストック, STU11N65M2 参考価格. STU11N65M2 パラメーター, STU11N65M2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 STU11N65M2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 STU11N65M2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 STU11N65M2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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