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1N5418C.TR
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1N5418C.TR 技術仕様
DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Semtech |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Supplier Device Package | Axial |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Package / Case | Axial |
Operating Temperature - Junction | - |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitance @ Vr, F | 165pF @ 4V, 1MHz |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | 1N5418C.CT |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 12 Weeks |
Detailed Description | Diode Standard 400V 4.5A Through Hole Axial |
Current - Average Rectified (Io) | 4.5A |
1N5418C.TR 書類
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データシート
1N5418C.TR.pdf
その他には以下が含まれます: "1N541" 部品
次の部分には次のものが含まれます '1N541'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N5415 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2524 |
1N5415US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2797 |
1N5416 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2749 |
1N5416US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2531 |
1N5417 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2682 |
1N5417-E3/54 | VISHAY | 特殊なホットIC | 1801 |
1N5417-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 6088 |
1N5417-TAP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 6068 |
1N5417-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | 単相ダイオード整流器 | |
1N5417C.TR | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 2540 |
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1N5418C.TR ブランドメーカー: Semtech, Bonchip ストック, 1N5418C.TR 参考価格. 1N5418C.TR パラメーター, 1N5418C.TR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5418C.TR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5418C.TR ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5418C.TR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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